フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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Photon recycling was used to increase ionization of Mg in GaN p^+n diodes by reducing anode radius down to 20μm. The resultant temperature-independent (273-373 K), low on-resistance is a promising characteristic for fast freewheeling diodes.
- 2012-01-04
著者
-
望月 和浩
(株)日立製作所 中央研究所
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
望月 和浩
日立製作所中央研究所
-
土屋 朋信
日立製作所中央研究所
-
土屋 忠厳
日立電線
-
石垣 隆士
日立製作所中央研究所
-
石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 徹
法政大学
-
野本 一貴
法政大学
-
三島 友義
日立電線株式会社
-
三島 友義
日立電線
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
-
中村 徹
法政大学工学部
-
金田 直樹
日立電線
-
土屋 龍太
日立製作所
-
畠山 義智
法政大学
-
片寄 秀雄
法政大学
-
寺野 昭久
日立製作所
-
石垣 隆士
日立製作所
-
寺野 昭久
株式会社 日立製作所
-
土屋 朋信
日立製作所
-
望月 和浩
日立製作所
-
金田 直樹
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
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