微細化T型ゲートイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMT
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2009-03-09
著者
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
中村 徹
法政大学
-
太田 理奈雄
法政大学
-
川田 昌和
法政大学
-
野本 一貴
法政大学
-
佐藤 政孝
法政大学
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
佐藤 政孝
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
-
中村 徹
法政大学工学部
関連論文
- 単一電源動作高出力GaAs E/DデュアルゲートHEMT
- 高出力HEMTのゲインマップによる線形性解析
- 単一電源動作 Pt 埋め込みゲート InGaAs 歪チャネルダブルヘテロ HEMT
- 単一電源動作高効率Pt埋め込みゲートInGaAsひずみチャネルダブルヘテロHEMT
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT
- 絶縁膜埋め込み型AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- 単一電源動作高出力GaAs E/DデュアルゲートHEMT
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT
- WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT
- 微細化T型ゲートイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMT
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化
- 半導体製造装置の省エネルギー対策に関する実験研究
- Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性
- イオン注入法によるGaN FETの特性改善効果
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化
- 100nm世代のSoCプラットフォームに向けた丈高速および低電力/RF用途対応50nmCMOS技術
- イオン注入GaN系電界効果トランジスタの高性能化
- Nイオン注入4H-SiCの電気特性と結晶性の評価
- Preferential散乱を用いたGaN中不純物の格子位置識別方法
- 自己整合型ノーマリーオフGaN MISFET
- イオン注入4H-SiCバイポーラトランジスタの高電流利得化
- イオン注入4H-SiCバイポーラトランジスタの高性能化に関する研究
- GaN基板上高耐圧GaN pn接合ダイオード
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 小型GaN p^+nダイオードのオン抵抗低減機構に関する考察
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード
- 超高速デバイスおよびミリ波デバイスとその回路技術 : 特集号によせて
- p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)