中村 徹 | 法政大学工学部
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概要
関連著者
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中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
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中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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中村 徹
法政大学工学部
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中村 徹
法政大学
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野本 一貴
法政大学
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野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
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佐藤 政孝
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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望月 和浩
(株)日立製作所 中央研究所
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三島 友義
日立電線株式会社
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佐藤 政孝
法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所
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三島 友義
日立電線
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田島 卓
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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野本 一貴
法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所
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内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
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岡 徹
日立
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平田 宏治
日立超LSIエンジニアリング株式会社
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松島 孝典
法政大学工学部
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大内 潔
(株)日立製作所中央研究所
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佐藤 政孝
法政大学
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中嶋 正裕
法政大学工学部
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谷口 隆文
(株)日立製作所中央研究所
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望月 和浩
株式会社日立製作所中央研究所
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内山 博幸
株式会社日立製作所中央研究所
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谷口 隆文
株式会社日立製作所中央研究所
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岡 徹
株式会社日立製作所中央研究所
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大内 潔
株式会社日立製作所中央研究所
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土屋 忠厳
日立電線
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田島 卓
法政大学
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金田 直樹
日立電線
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畠山 義智
法政大学
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寺野 昭久
株式会社 日立製作所
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金田 直樹
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
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望月 和浩
日立製作所中央研究所
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土屋 朋信
日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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野本 一貴
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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望月 和浩
株式会社 日立製作所
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土屋 龍太
日立製作所
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片寄 秀雄
法政大学
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寺野 昭久
日立製作所
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石垣 隆士
日立製作所
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土屋 朋信
日立製作所
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望月 和浩
日立製作所
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岡 徹
株式会社 日立製作所 中央研究所
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大内 潔
株式会社 日立製作所 中央研究所
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内山 博幸
株式会社 日立製作所 中央研究所
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望月 和浩
株式会社 日立製作所 中央研究所
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中村 徹
株式会社 日立製作所 中央研究所
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尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
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大西 和博
(株)日立製作所中央研究所
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大西 和博
(株)日立製作所
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寺野 昭久
株式会社 日立製作所 中央研究所
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土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
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大塚 文雄
SELETE
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葛西 武
ケミトロニクス
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尾内 享裕
日立 中研
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太田 理奈雄
法政大学
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川田 昌和
法政大学
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宮川 晋悟
法政大学
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工藤 尚宏
法政大学
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永田 翔平
法政大学
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田島 卓
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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佐藤 政孝
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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中村 徹
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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河村 光則
法政大学
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伊藤 伸之
法政大学
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山内 豪
(株)日立超LSIシステムズ
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大塚 文雄
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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満田 勝弘
(株)日立製作所半導体事業部
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長谷 昌俊
法政大学工学部
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川原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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中村 善
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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田口 真也
法政大学
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長谷川 一也
法政大学
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河野 敏弘
日立電線
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岡 徹
株式会社 フジクラ
著作論文
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGap/GaAsHBT
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- 超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
- 微細化T型ゲートイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMT
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化
- 半導体製造装置の省エネルギー対策に関する実験研究
- Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性
- イオン注入法によるGaN FETの特性改善効果
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化
- 100nm世代のSoCプラットフォームに向けた丈高速および低電力/RF用途対応50nmCMOS技術
- イオン注入GaN系電界効果トランジスタの高性能化
- 自己整合型ノーマリーオフGaN MISFET
- イオン注入4H-SiCバイポーラトランジスタの高電流利得化
- イオン注入4H-SiCバイポーラトランジスタの高性能化に関する研究
- GaN基板上高耐圧GaN pn接合ダイオード
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 小型GaN p^+nダイオードのオン抵抗低減機構に関する考察