野本 一貴 | 法政大学
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概要
関連著者
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野本 一貴
法政大学
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野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
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中村 徹
法政大学
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中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
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中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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中村 徹
法政大学工学部
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三島 友義
日立電線株式会社
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佐藤 政孝
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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三島 友義
日立電線
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金田 直樹
日立電線
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土屋 忠厳
日立電線
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野本 一貴
法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所
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佐藤 政孝
法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所
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畠山 義智
法政大学
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松島 孝典
法政大学工学部
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中嶋 正裕
法政大学工学部
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土屋 龍太
日立製作所
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片寄 秀雄
法政大学
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寺野 昭久
日立製作所
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石垣 隆士
日立製作所
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土屋 朋信
日立製作所
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望月 和浩
日立製作所
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金田 直樹
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
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望月 和浩
(株)日立製作所 中央研究所
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望月 和浩
日立製作所中央研究所
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佐藤 政孝
法政大学
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田島 卓
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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寺野 昭久
株式会社 日立製作所
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土屋 朋信
日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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田島 卓
法政大学
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野本 一貴
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
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塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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寺野 昭久
株式会社 日立製作所 中央研究所
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葛西 武
ケミトロニクス
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太田 理奈雄
法政大学
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川田 昌和
法政大学
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田島 卓
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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佐藤 政孝
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
中村 徹
法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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河村 光則
法政大学
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伊藤 伸之
法政大学
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田口 真也
法政大学
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長谷川 一也
法政大学
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望月 和浩
株式会社 日立製作所
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河野 敏弘
日立電線
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三島 友義
日立電線(株)
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三島 友義
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
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高橋 利文
福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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野本 一貴
ノートルダム大学
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
著作論文
- 微細化T型ゲートイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMT
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究
- AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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- イオン注入法によるGaN FETの特性改善効果
- イオン注入GaN系電界効果トランジスタの高性能化
- Preferential散乱を用いたGaN中不純物の格子位置識別方法
- 自己整合型ノーマリーオフGaN MISFET
- GaN基板上高耐圧GaN pn接合ダイオード
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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- 小型GaN p^+nダイオードのオン抵抗低減機構に関する考察
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード
- p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)