イオン注入GaN系電界効果トランジスタの高性能化
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概要
著者
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中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
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中村 徹
法政大学
-
野本 一貴
法政大学
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中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
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野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
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中村 徹
法政大学工学部
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