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法政大学イオンビーム工学研究所 | 論文
- 高エネルギーガリウムイオン注入によるMoSx膜のトライボロジー特性向上
- Alイオン注人ZnOバルク単結晶の低抵抗化の起源 : ラザフォード後方散乱および核反応分析による格子変位の評価
- Arイオン照射Fe-Al₂O₃グラニュラー膜中Fe微粒子の構造特性
- 自己整合型イオン注入GaN MISFETのノーマリーオフ化に関する研究
- Diversification from ion beam for semiconductor integration (法政大学イオンビーム工学研究所創立25周年記念特集) -- (創立25周年記念講演録)
- Fe/Cr多層膜の電気・磁気特性と熱処理効果
- 軽量・小型スペースデブリシールドの試作
- 佐藤政孝先生を偲んで
- 招待講演1 大容量パワーデバイスを目指したSiCエピタキシャル成長、ダイオード試作 (第23回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム)
- Co/Cu多層膜におけるイオン照射効果
- イオンビーム工学研究所過去10年の歩み
- イオン注入4H-SiCバイポーラトランジスタの高性能化に関する研究
- GaN及びAlGaNへのSi[+]イオン注入に関する研究
- イオン注入4H-SiCにおけるプラズマ処理効果に関する研究
- イオン注入GaN HEMTにおける低周波雑音特性解析
- CVD法を使用したSi基板上へのCeO2薄膜堆積時の反応機構
- MOCVD法によるCeO2薄膜形成時の反応機構--水分子(H2O)の影響
- 高配向Al及びCu膜の熱安定性と内部応力
- Indium-tin oxide透明導電膜の異常電気抵抗変化
- イオン注入とエタンガス熱拡散によるGaNへのCドーピング