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法政大学イオンビーム工学研究所 | 論文
- PIXE法による海沢下野原遺跡出土縄文土器胎土の分析(1)
- SiO2へのTiおよびGeのイオン注入試料からのホトルミネッセンス(SiO2とTi及びGeとのコスパッタ膜との比較)
- PIXE分析における定量性の検討
- バイオタイトによるカドミウムのイオン交換の試み
- Si/Ge超格子形成のためのイオンビームスパッタ装置の開発
- Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性
- イオン散乱およびラマン散乱法による中性子転換注入GaN中の格子変位と残留応力について
- 中性子照射GaN中の格子変位に関する研究--核反応分析法およびラザフォード後方散乱法による評価
- CドープGaNの核反応分析:イ***ールミネッセンスと格子間炭素との相関について
- SiCデバイスプロセスに関する研究
- 電子ビーム真空蒸着法によるSi/Ge多層膜形成
- イオンビーム工学研究の「温故知新」 (法政大学イオンビーム工学研究所創立25周年記念特集) -- (創立25周年記念講演録)
- Si/CeO2(111)界面における反応
- ZnOバルク単結晶への窒素イオン注入
- シリコンイオン注入ZnOバルク単結晶のイオンチャネリングによる評価--低抵抗の起源
- 中エネルギーイオン散乱
- 4H-SiC(1120)に形成した高濃度イオン注入層の評価
- Alイオン注入4H-SiCの評価
- n形4H-SiC上に形成した金属シリサイドの評価
- 6H-SiCへのGaイオン注入とアニ-ル特性