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法政大学イオンビーム工学研究所 | 論文
- P〔+〕イオン注入(11-20)4H-SiCの特性
- Preferential散乱を用いたGaN中不純物の格子位置識別方法
- 学問創成の府としての大学 (法政大学イオンビーム工学研究所創立25周年記念特集) -- (創立25周年記念講演録)
- 融合的連携研究プログラム--技術移転の理研モデル (法政大学イオンビーム工学研究所創立25周年記念特集) -- (創立25周年記念講演録)
- 平成7年度法政大学イオンビ-ム工学研究所事業報告
- SiCへのイオン注入
- 法政大学イオンビーム工学研究所略史 (法政大学イオンビーム工学研究所創立25周年記念特集)
- 真空蒸着法により形成したペンタセン薄膜の評価
- Nイオン注入4H-SiCの電気特性と結晶性の評価
- Alイオン注入によって形成した4H-SiCp[+]n接合ダイオードの電気特性の評価
- イオン注入GaN系電界効果トランジスタの高性能化
- CVD法により作製したSi基板上CeO2薄膜--堆積速度の基板温度依存性及び電気特性の熱処理雰囲気依存性
- MOCVD法により作成したSi(100)基板上CeO2薄膜の電気特性評価
- Fe/Si、Fe/FeSi多層膜におけるイオン照射効果
- SiへのH+イオン注入
- Pイオン注入InPの結晶性評価
- 高エネルギ-イオン照射によるCeO2薄膜の結晶性改善
- 第14回法政大学イオンビ-ム工学シンポジウム
- メッキ銅配線層の薄膜効果による比抵抗の増加
- Fe/Si多層膜におけるイオン照射効果