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法政大学イオンビーム工学研究所 | 論文

• 活性水素援用CVD方式によるGaAsの原子層エピタキシ-
• 水素プラズマビ-ムと模擬器壁との絶縁破壊
• Nイオン注入4H-SiCの結晶性と電気特性の評価
• 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化
• 磁気多層膜と放射線検出器
• LSI配線層に用いるスパッタAI薄膜の比抵抗
• フラーレン・ナノウィスカーの結晶構造と分子ダイナミクス

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