Alイオン注入によって形成した4H-SiCp[+]n接合ダイオードの電気特性の評価

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概要

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• 法政大学イオンビーム工学研究所の論文

法政大学イオンビーム工学研究所 | 論文

• フラーレン・ナノウィスカーの結晶構造と分子ダイナミクス
• LSI配線層に用いるスパッタAI薄膜の比抵抗
• 磁気多層膜と放射線検出器
• 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化
• Nイオン注入4H-SiCの結晶性と電気特性の評価

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