招待講演1 大容量パワーデバイスを目指したSiCエピタキシャル成長、ダイオード試作 (第23回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 法政大学イオンビーム工学研究所の論文

法政大学イオンビーム工学研究所 | 論文

• フラーレン・ナノウィスカーの結晶構造と分子ダイナミクス
• LSI配線層に用いるスパッタAI薄膜の比抵抗
• 磁気多層膜と放射線検出器
• 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化
• Nイオン注入4H-SiCの結晶性と電気特性の評価

もっと見る

スポンサーリンク