AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性
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概要
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- 2006-11-17
著者
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
松島 孝典
法政大学工学部
-
中村 徹
法政大学
-
野本 一貴
法政大学
-
野本 一貴
法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所
-
佐藤 政孝
法政大学工学部, 法政大学イオンビーム工学研究所
-
中嶋 正裕
法政大学工学部
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
佐藤 政孝
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
-
中村 徹
法政大学工学部
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