超高速微細InGaP/GaAs HBTの特性と回路応用
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概要
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外部コレクタ寄生領域がSiO_2で埋め込まれた構造を有する微細InGaP/GaAs HBTの高速動作性能を向上させるため, プロセスの改良およびデバイス構造の最適化を行った。埋め込みSiO_2領域で生じる寄生容量は従来比で約50%低減することができ, 単体の素子の性能としては, エミッタサイズS_E=0.5×4.5μm^2の素子においてコレクタ電流I_C=3.5mAで遮断周波数f_T=156GHz, 最大発振周波数f_<max>=255GHzを, またS_E=0.25×1.5μm^2の素子ではI_C=0.9mAでf_T=114GHz, f_<max>=230GHzをそれぞれ達成した。この微細HBTを用いて作製した1/8分周器は消費電力190mW/FFにおいて39.5GHzの分周動作を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-20
著者
-
望月 和浩
(株)日立製作所 中央研究所
-
内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
-
谷口 隆文
(株)日立製作所中央研究所
-
望月 和浩
株式会社日立製作所中央研究所
-
内山 博幸
株式会社日立製作所中央研究所
-
谷口 隆文
株式会社日立製作所中央研究所
-
岡 徹
日立
-
岡 徹
株式会社日立製作所中央研究所
-
平田 宏治
日立超LSIエンジニアリング株式会社
-
大内 潔
株式会社日立製作所中央研究所
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
大内 潔
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
中村 徹
法政大学工学部
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