クエン酸系ウエットエッチングによるトランジスタ直下Via-holeの形成(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-02
著者
-
田中 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
望月 和浩
(株)日立製作所中央研究所
-
田窪 千咲紀
(株)日立製作所中央研究所
-
望月 和浩
(株)日立製作所 中央研究所
-
内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
-
太田 博
(株)日立超LSIシステムズ
-
塩田 貴支
(株)日立製作所 中央研究所
-
太田 博
日立超lsiシステムズ
-
田窪 千咲紀
(株)日立製作所 中央研究所
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