InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4x4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現(フォトニックネットワーク関連技術,一般)

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概要

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• 次世代の光ネットワークでは、光パケット信号の経路を光のまま切り替える高速な光スイッチが不可欠である。我々は、InAlGaAs/InAlAs半導体を用いた2x2マッハツェンダー干渉計型光スイッチを作製して、実験的に偏光無依存で-20dB以下の低クロストークと約3ナノ秒の高速スイッチング動作を3.5mAの低電流にて実現してきた。今回、ポート数拡張のために、5つの従来素子をカスケード接続する事によって4x4ポートの光スイッチの作製を試み、初期特性を得た。

• 2011-02-21

著者

• 塩田 貴支

  (株)日立製作所 中央研究所

• 北谷 健

  日立製作所中央研究所

• 北谷 健

  (株)日立製作所中央研究所

• 宇高 勝之

  早稲田大学理工学術院

• 上田 悠太

  早稲田大学理工学術院

• 藤本 信二

  早稲田大学理工学術院

• 宇高 勝之

  早稲田大学大学院理工学研究科

• 北谷 健

  (株)日立製作所 中央研究所

• 上林 和樹

  早稲田大学理工学術院

• 上田 悠太

  早稲田大 理工学術院

• 小山 慶晃

  早稲田大学理工学術院

• 北谷 健

  (株)日立製作所中央研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 宇高 勝之

  早稲田大学

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