1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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概要
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理想的なバンドラインナップを有するGaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高速化を目的として三重量子井戸(TQW: triple quantum well)構造の検討を行った。MBEによるGaInNAsの結晶成長において不純物、特に3次元成長を助長するA1の混入の抑制と量子井戸構造の最適化を行った。その結果、同成長法のGaInNAs-TQWレーザにて世界最小と同等のしきい電流密度468A/cm^2を得た。さらに、逆メサ構造を導入したリッジ型レーザでGaInNAsリッジ型レーザの世界最小のしきい電流4.3mAを1.29μmの長波長発振にて実現した。また、TQW構造の高速性を反映して5℃の40Gb/s直接変調動作を実証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-22
著者
-
中原 宏治
株式会社日立製作所中央研究所
-
足立 光一朗
日立製作所中央研究所
-
葛西 淳一
日立製作所中央研究所
-
北谷 健
日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
日立製作所 中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所中央研究所
-
青木 雅博
(株)日立製作所 中央研究所
-
青木 雅博
日立製作所
-
中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
-
足立 光一朗
(株)日立製作所 中央研究所
-
葛西 淳一
日立製作所 中央研究所
-
足立 光一郎
(株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会
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