1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザにおける発振遅延時間低減の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
大容量並列光インターコネクション用半導体レーザアレイの課題であるスキュー低減に対して有望な1.3μm帯n型変調ドープ歪MQW(Multi-Quantum Well)レーザについて発振遅延時間低減化の観点から理論・実験的に検討した。まず、変調ドープ構造導入によりしきい電流、キャリア寿命時間が低減できることを理論的に示した。実験的検討では理論検討と同様な結果が得られ、変調ドーピングによるキャリア寿命時間としきい電流双方の減少から、発振遅延時間はアンドープ構造の約60%に低減することができた。また、素子の共振器損失を低減すれば変調ドープ効果が顕著になることを示し、n型変調ドープ歪MQWレーザがGbit/s級の大容量光インタコネクション用レーザの基本構造として有効であることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-20
著者
-
魚見 和久
(株)日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
日立製作所 中央研究所
-
土屋 朋信
(株)日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
-
魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
-
魚見 和久
(株)日立製作所
-
魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
-
丹羽 敦子
(株)日立製作所中央研究所
-
土屋 朋信
日立 中研
関連論文
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 指数関数型フレアストライプを有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsPレーザの高出力特性
- スポットサイズ拡大機能を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP歪量子井戸半導体レーザ
- Alフリー0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaAs面発光型レーザの室温連続動作
- InGaAsP障壁層を有する0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaASレーザの高温高出力特性
- InGaAsP障壁層の導入による帯InGaAs/InGaP/GaAs歪量子井戸レーザの高信頼性動作
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- III-(N, V)混晶半導体の物性と光素子への応用の可能性-GaN_xAs_を例にとって-
- 逆位相直接接着によるGaAs基板上長波長レーザの作製
- GaNAsのSi上半導体レーザへの適応に関する検討
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 半導体レーザの温度上昇の評価とその素子構造依存性
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
- SC-4-6 高速多チャンネルモジュール
- C-3-50 10Gbps×4chパラレルLDモジュール
- 1.3μm帯10Gbit/s/channelパラレル光送信/受信モジュール(光・電気複合実装モジュール技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
- AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 1.3μm帯MQW半導体光増幅器
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- n型ドープ活性DBR構造による短共振器レーザアレイの32nm連続波長可変動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-21 n型ドープ活性DBR構造をもつ短共振器DBRレーザアレイの32nm連続波長可変動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-96 1.3μm帯10.7Gbit/s TOSAモジュールの広温度範囲動作(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- (211)InP基板上1.3μm帯レーザ
- (211)InP基板上1.3μm帯レーザ
- 直接接着によるlll-V族化合物半導体の任意材料/面方位集積化技術
- 並列光インターコネクション用1.3μm帯低しきい電流・横テーパ構造n型変調ドープ歪MQWレーザアレイ
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによる85℃-2.5Gb/s零バイアス変調
- 1.3μm帯InP系n型変調ドープ歪MQWレーザ
- 1.3μm帯InCaAsP系n型変調ドープ歪MQW-BHレーザ
- 光アクセスネットワーク用半導体レーザ
- 超高速変調半導体レ-ザ- (「半導体レ-ザ-とその製作」特集号)
- 短共振器DBRレーザにおける高速波長切替の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 活性DBR構造を用いた短共振器DBR型波長可変レーザの検討(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-4-28 1.3μm 帯 InGaAlAs BH レーザの高信頼動作
- InGaAlAs-MQWを用いた光変調器集積レーザ
- InGaAlAs-MQWを用いた光変調器集積レーザ
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.55μm帯EA変調器集積DFBレーザモジュールによる43Gbit/s-2kmファイバ伝送(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- C-4-7 1.3μm帯ビームスポット拡大器集積利得結合分布帰還型半導体レーザの広温度範囲動作
- 光インタコネクト用1.3μm帯低しきい電流半導体レーザアレイ
- 並列光インターコネクション用長波長半導体レーザーアレイ (特集 半導体レーザー・最近の話題)
- 光通信用長波長帯面発光半導体レーザー
- SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
- SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術
- n型変調ドープMQW活性層による1.3μm帯ビームスポット拡大レーザの動作電流低減
- 1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
- 低しきい値半導体レ-ザアレイ (特集 光が変えるコンピュ-タの世界--光インタ-コネクション)
- 光素子アレイを用いたエラーフリー光インタコネクション
- 10Gbit/s短距離用直接変調レーザダイオードモジュール
- 10 Gbit/s短距離用直接変調レーザダイオードモジュール
- 大容量光インタコネクション用低しきい値1.3μm帯歪MQWレーザ
- スタック形ハッフルゲートによるジョセフソン回路の構成と動作実験
- 低コスト実装用1.3μm帯ビーム拡大器集積リッジ導波路型レーザ
- 低コスト実装用1.3μm帯ビーム拡大器集積リッジ導波路型レーザ
- シリコンシャドーマスクを用いたMOVPEによる1.3μm帯ビーム拡大器集積レーザ
- 長波長帯歪 InGaAsP-MQW 逆メサリッジレーザの高温高出力特性
- 1.5μm帯歪InGaAsP/InP MQW逆メサリッジレーザの高温特性
- 高温動作型全MOCVD成長1.3μm帯歪MQW-CBPBH-DFB-LD
- 0.98μm帯面発光レーザ用InGaP/GaAs多層膜反射鏡の高反射率特性
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザにおける発振遅延時間低減の検討
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによるキャリア寿命時間の低減
- 逆メサリッジ側壁を有する高出力歪InGaAsP/InP MQWリッジ導波路型レーザ
- 応用の幅を広げる半導体レーザ技術
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
- 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
- 面方位制御による歪量子井戸レーザの低しきい値化の検討
- 応用の幅を広げる半導体レーザ技術
- C-4-1 28Gbls直接変調InGaAIAs ACPM DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)