SiシャドウマスクMOCVD法によるビーム拡大器集積半導体レーザの作製技術

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概要

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• SiシャドウマスクMOCVD成長により、光加入者用送信光源となるビーム拡大器集積半導体レーザを作製した。マスク寸法及び基板とマスク間隔を最適化することにより、レーザ部の活性層厚に比べ1/3倍の膜厚変調比を有する膜厚テーパ導波路を、従来の活性層構造に集積化成長することができた。この膜厚テーパ導波路を有する1.3μm帯逆メサリッジ型半導体レーザを試作した結果、垂直方向のFFPは、従来レーザの40°に対して、13°と狭窄化できた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-07-03

著者

• 佐藤 宏

  日立中研

• 大家 彰

  日立製作所中央研究所

• 魚見 和久

  日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  (株)日立製作所 中央研究所

• 青木 雅博

  日立製作所

• 魚見 和久

  日本オプネクスト株式会社

• 古森 正明

  日立製作所中央研究所

• 佐藤 宏

  日立製作所中央研究所

• 古森 正明

  (株)日立製作所 中央研究所

• 魚見 和久

  (株)日立製作所 中央研究所

• 佐藤 宏

  日立製作所 日立研究所

• 大家 彰

  日立製作所 中央研究所

• 古森 正明

  (株)日立製作所中央研究所

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