1.3μm帯InCaAsP系n型変調ドープ歪MQW-BHレーザ
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概要
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大容量並列光インターコネクション用半導体レーザアレイの課題であるスキュー低減に対して有望なn型変調ドープ歪MQW構造を埋込型(BH)レーザに適用し、しきい電流、キャリア寿命時間及び発振遅延時間についてアンドープレーザと比較した。変調ドープレーザのしきい電流、キャリア寿命時間はそれそれ約10%,約15%減少し、埋込型レーザにおいてn型変調ドープ効果を確認した。さらにしきい電流、キャリア寿命時間双方の減少により発振遅延時間は約35%低減し、1.3μm帯n型変調ドープ歪MQW-BHレーザが次世代大容量光インタコネクション用レーザアレイの基本構造として有効であることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-02-14
著者
-
魚見 和久
日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
日立製作所中央研究所
-
谷渡 剛
日立製作所光技術開発推進本部
-
中原 宏治
日立製作所 中央研究所
-
芳賀 徹
日立製作所情報通信事業部
-
魚見 和久
日本オプネクスト株式会社
-
谷渡 剛
日立
-
谷渡 剛
(株)日立製作所情報通信事業部
-
芳賀 徹
(株)日立製作所通信事業部
-
芳賀 徹
(株)日立製作所情報通信事業部
-
魚見 和久
(株)日立製作所 中央研究所
-
谷渡 剛
日立製作所情報通信事業部
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