中原 宏治 | 日立製作所 中央研究所

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概要

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関連著者

• 中原 宏治

  日立製作所 中央研究所

• 中原 宏治

  (株)日立製作所中央研究所

• 中原 宏治

  株式会社日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  (株)日立製作所 中央研究所

• 中原 宏治

  日立製作所中央研究所

• 北谷 健

  日立製作所中央研究所

• 土屋 朋信

  (株)日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  (株)日立製作所中央研究所

• 魚見 和久

  日本オプネクスト株式会社

• 魚見 和久

  (株)日立製作所 中央研究所

• 土屋 朋信

  日立 中研

• 近藤 正彦

  日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科

• 青木 雅博

  日立製作所

• 足立 光一朗

  日立製作所中央研究所

• 葛西 淳一

  日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  日立中研

• 田中 慈久

  日立製作所中央研究所

• 葛西 淳一

  日立製作所 中央研究所

• 足立 光一郎

  (株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会

• 工藤 真

  日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  (株)日立製作所中央研究所

• 藤崎 寿美子

  日立製作所中央研究所

• 近藤 正彦

  日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  (株)日立製作所 中央研究所

• 魚見 和久

  (株)日立製作所中央研究所

• 足立 光一朗

  (株)日立製作所 中央研究所

• 魚見 和久

  (株)日立製作所

• 谷口 隆文

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  日立製作所中央研究所

• 土屋 朋信

  日立製作所中央研究所

• 田中 滋久

  日立製作所

• 藤崎 寿美子

  日立製作所

• 土屋 朋信

  日立製作所

• 田中 滋久

  株式会社日立製作所中央研究所

• 宍倉 正人

  日本オプネクスト株式会社

• 野本 悦子

  日立中研

• 宍倉 正人

  日本オプネクスト(株)

• 芳賀 徹

  日立製作所情報通信事業部

• 谷渡 剛

  日立

• 谷渡 剛

  (株)日立製作所情報通信事業部

• 芳賀 徹

  (株)日立製作所通信事業部

• 芳賀 徹

  (株)日立製作所情報通信事業部

• 谷渡 剛

  日立製作所情報通信事業部

• 佐野 博久

  日立金属株式会社先端エレクトロニクス研究所

• 井戸 立身

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐藤 宏

  日立中研

• 魚見 和久

  日立製作所中央研究所

• 豊中 隆司

  (株)日立製作所情報通信事業部

• 谷口 隆文

  日立製作所中央研究所

• 北谷 健

  (株)日立製作所 中央研究所

• 深町 俊彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 長妻 一之

  (株)日立製作所 中央研究所

• 長妻 一之

  日立

• 佐久間 康

  日本オプネクスト株式会社

• 谷口 隆文

  日立製作所

• 丹羽 敦子

  (株)日立製作所中央研究所

• 深町 俊彦

  東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター:財団法人光産業技術振興協会:日立製作所中央研究所

• 豊中 隆司

  日立

• 深町 俊彦

  日本オクラロ

• 佐久間 康

  日本オクラロ

• 鈴木 秀幸

  (株)日立製作所中央研究所

• 内山 博幸

  (株)日立製作所 中央研究所

• 内山 博幸

  株式会社日立製作所中央研究所

• 谷口 隆文

  株式会社日立製作所中央研究所

• 大家 彰

  日立製作所中央研究所

• 原田 卓

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 宍倉 正人

  日立製作所中央研究所

• 長妻 一之

  日立製作所中央研究所

• 近藤 正彦

  株式会社日立製作所中央研究所

• 藤崎 寿美子

  株式会社日立製作所中央研究所

• 工藤 真

  株式会社日立製作所中央研究所

• 寺野 昭久

  株式会社日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  日立製作所中央研究所

• 谷渡 剛

  日立製作所光技術開発推進本部

• 北谷 健

  株式会社日立製作所中央研究所

• 篠田 和典

  株式会社日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  株式会社日立製作所中央研究所

• 野本 悦子

  日立製作所

• 井戸 立身

  日立製作所 中央研究所

• 佐野 博久

  日立製作所 中央研究所

• 刀祢平 高一郎

  (株)日立製作所

• 芳賀 徹

  (株)日立製作所

• 宍倉 正人

  日立製作所

• 刀祢平 高一郎

  (株)日立製作所通信事業部

• 笹田 道秀

  日本オプネクスト(株)

• 土屋 朋信

  株式会社日立製作所中央研究所

• 佐藤 宏

  株式会社日立製作所中央研究所

• 笹田 道秀

  (株)日立製作所 通信事業部

• 吉本 賢治

  (株)日立製作所 通信事業部

• 山本 寛

  (株)日立製作所 通信事業部

• 大石 耕太郎

  (株)日立製作所 通信事業部

• 刀祢平 高一郎

  (株)日立製作所 通信事業部

• 吉本 賢治

  (株)日立製作所通信事業部

• 大家 彰

  日立製作所 中央研究所

• 山本 寛

  (株)日立製作所通信事業部

• 大石 耕太郎

  (株)日立製作所通信事業部

• 若山 雄貴

  株式会社日立製作所中央研究所

• 比留間 健之

  株式会社日立製作所中央研究所

• 宍倉 正人

  (株)日立製作所中央研究所

• 松岡 康信

  (株)日立製作所中央研究所

• 坂 卓磨

  (株)日立製作所中央研究所

• 三田 玲英子

  (株)日立製作所中央研究所

• 比留間 健之

  日立製作所 中央研究所

• 中塚 慎一

  日立製作所中央研究所

• 永石 英幸

  (株)日立製作所中央研究所

• 西野 壽一

  (株)日立製作所中央研究所

• 穴倉 正人

  (株)日立製作所中央研究所

• 豊中 隆司

  日立製作所情報通信事業部

• 篠田 和典

  日立製作所中央研究所

• 西野 壽一

  株式会社日立製作所中央研究所

• 北谷 健

  日立中研

• 中塚 慎一

  日立中研

• 徳田 正秀

  (株)日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  日立中研

• 大歳 創

  日立中研

• 高橋 範次

  日立中研

• 土屋 朋信

  日立中研

• 大内 潔

  日立中研

• 中原 宏治

  日立中研

• 宍倉 正人

  (株) 日立製作所 中央研究所

• 長妻 一之

  (株) 日立製作所 中央研究所

• 井戸 立身

  (株) 日立製作所 中央研究所

• 徳田 正秀

  (株) 日立製作所 中央研究所

• 中原 宏治

  (株) 日立製作所 中央研究所

• 野本 悦子

  (株) 日立製作所 中央研究所

• 須藤 剣

  (株) 日立製作所 中央研究所

• 佐野 博久

  (株) 日立製作所 中央研究所

• 大石 昭夫

  (株)日立製作所情報通信事業部

• 大歳 創

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 滋

  日立製作所

• 長谷川 晴弘

  (株)日立製作所基礎研究所

• 中原 宏和

  (株)日立製作所中央研究所

• 古森 正明

  (株)日立製作所 中央研究所

• 松岡 康信

  (株)日立製作所 中央研究所

• 坂 卓磨

  (株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会

• 大石 昭夫

  日立製作所通信システム事業本部

• 長谷川 晴弘

  日立製作所基礎研究所

• 河野 敏弘

  (株)日立製作所光事業推進本部

• 岡 聡彦

  (株)日立製作所光事業推進本部

• 丹羽 敦子

  (株) 日立製作所中央研究所

• 三田 玲英子

  (株)日立製作所 中央研究所

• 宍倉 正人

  (株)日立製作所 中央研究所

• 谷口 隆文

  日立製作所 中央研究所

• 大石 昭夫

  (株)日立製作所光事業推進本部

• 長谷川 晴弘

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 古森 正明

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐久間 康

  日本オクラロ株式会社

• 若山 雄貴

  日立製作所中央研究所

• 深町 俊彦

  日本オクラロ株式会社

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著作論文

• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 半導体レーザの温度上昇の評価とその素子構造依存性
• 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
• 1.3μm帯InGaAlAs-MQW-FPレーザの10Gb/s直接変調動作
• C-3-50 10Gbps×4chパラレルLDモジュール
• 1.3μm帯10Gbit/s/channelパラレル光送信/受信モジュール(光・電気複合実装モジュール技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
• AlフリーMBE成長による1.3μm帯GaInNAs単一量子井戸レーザのしきい電流低減(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 並列光インターコネクション用1.3μm帯低しきい電流・横テーパ構造n型変調ドープ歪MQWレーザアレイ
• 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによる85℃-2.5Gb/s零バイアス変調
• 1.3μm帯InP系n型変調ドープ歪MQWレーザ
• 1.3μm帯InCaAsP系n型変調ドープ歪MQW-BHレーザ
• 10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待講演]10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 光インタコネクト用1.3μm帯低しきい電流半導体レーザアレイ
• 並列光インターコネクション用長波長半導体レーザーアレイ (特集 半導体レーザー・最近の話題)
• 低しきい値半導体レ-ザアレイ (特集 光が変えるコンピュ-タの世界--光インタ-コネクション)
• 10Gbit/s短距離用直接変調レーザダイオードモジュール
• 10 Gbit/s短距離用直接変調レーザダイオードモジュール
• 大容量光インタコネクション用低しきい値1.3μm帯歪MQWレーザ
• スタック形ハッフルゲートによるジョセフソン回路の構成と動作実験
• 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザにおける発振遅延時間低減の検討
• 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによるキャリア寿命時間の低減
• 逆メサリッジ側壁を有する高出力歪InGaAsP/InP MQWリッジ導波路型レーザ
• 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
• 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
• 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ
• C-4-1 28Gbls直接変調InGaAIAs ACPM DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)

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