田中 滋久 | 日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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田中 滋久
日立製作所中央研究所
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田中 滋久
日立製作所
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田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
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田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
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田中 滋久
日立中研
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田中 慈久
日立製作所中央研究所
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宍倉 正人
日立製作所中央研究所
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宍倉 正人
日本オプネクスト株式会社
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宍倉 正人
日本オプネクスト(株)
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宍倉 正人
日立製作所
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松岡 康信
(株)日立製作所中央研究所
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井戸 立身
(株)日立製作所中央研究所
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松岡 康信
日立製作所中央研究所
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井戸 立身
日立製作所 中央研究所
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工藤 真
日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所
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近藤 正彦
日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
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中原 宏治
日立製作所 中央研究所
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中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
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藤崎 寿美子
日立製作所
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中村 均
(株)日立製作所中央研究所
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中村 均
日立製作所中央研究所
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花谷 昌一
日立製作所中央研究所
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古後 健治
日立製作所中央研究所
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松岡 康信
(株)日立製作所 中央研究所
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古後 健治
(株)日立製作所 中央研究所システムLSI研究部
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花谷 昌一
日立製作所 情報通信事業部
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菊池 悟
日本オプネクスト
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辻 伸二
日立製作所株式会社
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谷口 隆文
(株)日立製作所中央研究所
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穴倉 正人
(株)日立製作所中央研究所
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谷口 隆文
日立製作所中央研究所
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中原 宏治
株式会社日立製作所中央研究所
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久保木 勝彦
日本オプネクスト
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濱田 博
日本オプネクスト
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井上 宏明
(株)日本オプネクスト
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菊池 悟
日立東部セミコンダクタ
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花谷 昌一
日立テレコム(USA)
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花谷 昌一
日立製作所 情報通信事業部 開発センタ
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花谷 昌一
(株)日立製作所情報通信事業部
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谷口 隆文
日立製作所
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濱田 博
日本オプネクスト(株)
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辻 伸二
日立製作所中央研究所
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佐野 博久
日立金属株式会社先端エレクトロニクス研究所
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小野 綱男
(株)日立デバイスエンジニアリング
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小野 綱男
日立デバイスエンジニアリング
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井上 宏明
RWCP光インターコネクション日立研
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佐野 博久
日立製作所 中央研究所
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井上 宏明
日立製作所 中央研究所
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金武 達郎
情報通信事業部中央研究所
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金武 達郎
(株)日立製作所基礎研究所
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西村 信治
RWCP光インターコネクション日立研
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北野 晴久
日立製作所 情報通信事業部 開発センタ
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高橋 龍太
日立電線(株)オプトロシステム研究所
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西村 信治
Rwcp光日立研究室
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長妻 一之
日立製作所中央研究所
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宮崎 隆雄
(株)日立製作所中央研究所
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宮崎 隆雄
日立製作所中央研究所
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野津 千秋
(株)日立デバイスエンジニアリング
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野津 千秋
日立デバイスエンジニアリング
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大歳 創
日立製作所中央研究所
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樋口 恵一
日立電線株式会社 オプトロシステム研究所
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岡野 広明
日立電線株式会社オプトロシステム研究所
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駒野 晴保
日立電線株式会社オプトロシステム研究所
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高橋 龍太
日立電線株式会社オプトロシステム研究所
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石神 良明
日立電線株式会社オプトロシステム研究所
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黒岩 勉
日立製作所
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石神 良明
日立電線株式会社
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鈴木 誠
日立製作所中央研究所
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駒野 晴保
日立電線(株)アドバンス技術研究所
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小泉 真里
(株)日立製作所中央研究所
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岡野 広明
日立電線(株)オプトロシステム研究所
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大歳 創
日立中研
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高井 厚志
日立製作所(株)
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鈴木 誠
日立製作所 中央研究所
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西村 信治
日立 中研
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小泉 真里
日立製作所中央研究所
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長妻 一之
(株)日立製作所 中央研究所
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長妻 一之
日立
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金武 達郎
日立製作所 中央研究所
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鈴木 誠
日立 中研
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辻 伸二
技術研究組合光電子融合基盤技術研
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金武 達郎
RWCP光日立研究室
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高井 厚志
日立製作所
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高井 厚志
日立製作所中央研究所
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大歳 創
日立製作所
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谷口 隆文
日立製作所 中央研究所
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黒岩 勉
(株)日立製作所通信事業部
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西村 信治
RWCP光インタコネクション日立研究所
著作論文
- 光加入者向けInGaAlAs導波路型PDの高信頼動作
- 表面実装向け広トレランス・高量子効率導波路型PINフォトダイオード
- 導波路型超格子APD
- 超格子APD高速化の検討
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-3-42 PLCを用いた1.3/1.55μm WDM光モジュール
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール
- C-3-20 表面実装型 10Gbit/s 光受信モジュール
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 超高速電界吸収型光ゲートスイッチ
- 伸張歪みInGaAs/InAlAs MQW電界吸収型光変調器 : 伸張歪み導入によるMQW電界吸収型光変調器の動作電圧低減
- 光インタコネクション応用に向けたAPD低電圧動作化の検討
- 半導体導波路型光周波数変換素子
- 1.5μm用InGaAs/InAlAs多重量子井戸導波路での光誘起屈折率変化