田中 滋久 | (株)日立製作所中央研究所

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概要

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  (株)日立製作所中央研究所:(財)光産業技術振興協会

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  日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科

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  日立製作所 中央研究所

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• 中原 宏治

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• 花谷 昌一

  日立製作所 情報通信事業部

• 五十嵐 潤

  日本オプネクスト(株)

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  日本オプネクスト(株)

• 挾間 壽文

  独立行政法人産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター

• 菊池 悟

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• 辻 伸二

  日立製作所株式会社

• 挾間 寿文

  産業技術総合研究所

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  (株)日立デバイスエンジニアリング

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  (独)産業技術総合研究所

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  (独)産業技術総合研究所

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• 秋本 良一

  産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター

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  日本オプネクスト

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• 長妻 一之

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  日本オプネクスト(株)

• 金武 達郎

  情報通信事業部中央研究所

• 坂 琢磨

  技術研究組合光電子融合基盤技術研

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  日立製作所

• 濱田 博

  日本オプネクスト(株)

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• 深町 俊彦

  日立 中研

• 藤崎 寿美子

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• 西村 信治

  RWCP光インターコネクション日立研

• 西村 信治

  Rwcp光日立研究室

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• 内山 博幸

  (株)日立製作所 中央研究所

• 内山 博幸

  株式会社日立製作所中央研究所

• 谷口 隆文

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• 塩田 貴支

  株式会社日立製作所中央研究所

• 長妻 一之

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• 小野 綱男

  日立デバイスエンジニアリング

• 花谷 昌一

  (株)日立製作所中央研究所

• 近藤 正彦

  株式会社日立製作所中央研究所

• 藤崎 寿美子

  株式会社日立製作所中央研究所

• 工藤 真

  株式会社日立製作所中央研究所

• 寺野 昭久

  株式会社日立製作所中央研究所

• 石川 浩

  産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター

• 畑農 督

  日本オプネクスト株式会社

• 挾間 壽文

  (独)産業技術総合研究所

• 鈴木 誠

  (株)日立製作所日立総合病院リハビリテーション科

• 林 宏暁

  株式会社日立製作所中央研究所

• 牧野 茂樹

  株式会社日立製作所中央研究所

• 北谷 健

  株式会社日立製作所中央研究所

• 篠田 和典

  株式会社日立製作所中央研究所

• 青木 雅博

  株式会社日立製作所中央研究所

• 石川 浩

  (独)産業技術総合研究所・ネットワークフォトニクス研究センター

• 佐野 博久

  日立製作所 中央研究所

• 畑農 督

  (株)日本オプネクスト

• 西村 信治

  日立 中研

• 川村 大地

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  日本オプネクスト(株)

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  RWCP光日立研究室

• 石川 浩

  産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ

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  九州工業大学大学院生命体工学研究科

• 吉田 幸司

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  (株)日立製作所情報通信事業部

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  (株)日立超LSIシステムズ

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• 大石 昭夫

  (株)日立製作所情報通信事業部

• 田中 滋久

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• 鈴木 誠

  (株) 日立製作所 中央研究所

• 井上 宏明

  (株) 日立製作所 中央研究所

• 坂 塚磨

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• 北島 茂樹

  日立

• 長良 高光

  (株)日立超lsi システムズ

• 北島 茂樹

  情報通信事業部中央研究所

• 金武 達郎

  日立製作所 中央研究所

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  日立中研

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  日立製作所 中央研究所

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• 鷲見 聖二

  (株)日本オプネクスト

• 立野 公男

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• 紀川 健

  日立製作所 中央研究所

• 紀川 健

  (株)日立製作所中央研究所

• 立野 公男

  (株)日立製作所 中央研究所

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  ソニー(株)中央研究所

• 朝妻 庸紀

  ソニー(株)コアテクノロジー開発本部 アドバンストライトテクノロジー部

• 滝口 由朗

  ソニー(株)コアテクノロジー開発本部 アドバンストライトテクノロジー部

• 高井 厚志

  日立製作所

• 高井 厚志

  日立製作所中央研究所

• 挟間 壽文

  (独)産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター

• 田才 邦彦

  上智大学理工学部

• 中島 博

  上智大学理工学部

• 大歳 創

  日立製作所

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  日立製作所 中央研究所

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  光技研:(現)フェムト秒テクノロジー

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• 中島 博

  ソニー(株)

• 田才 邦彦

  ソニー(株)

• 滝口 由朗

  ソニー(株)

• 朝妻 庸紀

  ソニー(株)

• 玉村 好司

  ソニー(株)

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著作論文

• 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験10, 000時間安定動作
• 光加入者向けInGaAlAs導波路型PDの高信頼動作
• 導波路型 InGaAlAs PIN-PDの高信頼動作
• 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高信頼動作
• 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高効率・高信頼化
• 表面実装向け高効率・低暗電流導波路型PINフォトダイオード
• 表面実装向け広トレランス・高量子効率導波路型PINフォトダイオード
• 広トレランス導波路型PINフォトダイオード
• 低電圧動作歪InAlAs/InGaAs超格子APD(APD : Avalanche Photodiode)
• 2.5Gbit/s光伝送用InAlAs/InGaAs超格子APD
• 導波路型超格子APD
• 超格子APD高速化の検討
• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
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• 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
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• 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール
• C-3-20 表面実装型 10Gbit/s 光受信モジュール
• 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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• 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
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• C-4-2 1.3μm帯アンクールドEA/DFBレーザによる43Gbps 10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• SC-3-9 ATM-PONシステム向けポリマPLCモジュール
• MQW電界吸収型超高速光ゲート
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• モードフィルタによるマッハツェンダー型光変調器の安定化
• 超高速電界吸収型光ゲートスイッチ
• 40Gbit/s 用導波路集積化MQW電界吸収型光変調器
• 導波路集積化MQW-EA型超高速光変調器
• 導波路集積化MQW-EA型光変調器
• 伸張歪みInGaAs/InAlAs MQW電界吸収型光変調器 : 伸張歪み導入によるMQW電界吸収型光変調器の動作電圧低減
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
• パターン基板上に自己形成した三次元閉じ込めGaAs構造に関するフォトルミネッセンス
• C-4-16 100GHz-8ch波長可変EA/DFBレーザによる10Gbit/s-80km伝送(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
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• レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 光インタコネクション応用に向けたAPD低電圧動作化の検討
• CS-5-7 低コスト光モジュール用高速アンクールドEA/DFBレーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• 半導体導波路型光周波数変換素子
• InGaAs/InAlAs MQW非線形導波路を用いた全光学的光スイッチング実験
• 1.5μm用InGaAs/InAlAs多重量子井戸導波路での光誘起屈折率変化
• 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験20, 000時間安定動作
• C-3-47 10Gb/s光受信器用表面実装対応導波路型PIN-PD
• C-3-29 光アクセス用導波路型フォトダイオード及びPIN-AMPモジュール
• C-4-20 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
• BeZnCdSeを用いた緑色レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-30 Be系II-VI材料を用いた緑色レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-10 スポットサイズ変換器集積LGLC型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 横結合型方向性結合器を用いた波長可変フィルタ集積レーザの検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• C-4-9 横結合型方向性結合器を用いた小型低消費電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-6 光インタコネクト用1.3μm帯レンズ集積EA-DFBレーザによる40-Gbit/s/ch 50mマルチモードファイバ伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-31 光インタコネクト用EA-DFBレーザの40Gbps/ch低電圧動作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• BeZnCdSe量子井戸を用いた緑色半導体レーザの高出力発振(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)

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