表面実装向け広トレランス・高量子効率導波路型PINフォトダイオード
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
光モジュールの低コスト化を目的に、表面実装に適合する真波路型PIN-PDを提案した。バットジョイント光ファイバとの光結合を向上させるため、厚膜第2コア層を導入した。導波路解析から単ーモードファイバ(SMF)に対して光結合効率90%、トレランス幅k±2μm以上が可能であることを示した。素子試作の結果、バイアス電圧2Vにおいて、ファイバとの結合特性を含めた外部量子効率0.86A/W、0.5dB劣化垂直方向トレランス幅±2.9μmが得られた。また、スポット半径4μm の分散シフトファイバ(DSF)を用いた時にはそれぞれ、0.92A/W、±2.6μmが得られた。暗電流は500pAと従来の表面入射型と遜色のない充分低い値を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-18
著者
-
松岡 康信
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 均
(株)日立製作所中央研究所
-
辻 伸二
日立製作所株式会社
-
小野 綱男
(株)日立デバイスエンジニアリング
-
田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
-
宍倉 正人
日立製作所中央研究所
-
中村 均
日立製作所中央研究所
-
松岡 康信
日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所中央研究所
-
小野 綱男
日立デバイスエンジニアリング
-
宮崎 隆雄
(株)日立製作所中央研究所
-
宮崎 隆雄
日立製作所中央研究所
-
宍倉 正人
日本オプネクスト株式会社
-
宍倉 正人
日本オプネクスト(株)
-
宍倉 正人
日立製作所
-
田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
日立製作所
-
辻 伸二
日立製作所中央研究所
関連論文
- 大容量情報処理装置向け高密度光インターコネクション技術
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- BS-10-2 ボード内・間光インターコネクション技術の取り組み(BS-10.光スイッチング・光インターコネクション・光LAN技術〜ラック間・ボード間・チップ間光ネットワークへ〜,シンポジウムセッション)
- 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験10, 000時間安定動作
- 光加入者向けInGaAlAs導波路型PDの高信頼動作
- 導波路型 InGaAlAs PIN-PDの高信頼動作
- 導波路型PDの樹脂封止法の検討
- 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高信頼動作
- 表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高効率・高信頼化
- 表面実装向け高効率・低暗電流導波路型PINフォトダイオード
- 表面実装向け広トレランス・高量子効率導波路型PINフォトダイオード
- 広トレランス導波路型PINフォトダイオード
- 低電圧動作歪InAlAs/InGaAs超格子APD(APD : Avalanche Photodiode)
- 2.5Gbit/s光伝送用InAlAs/InGaAs超格子APD
- 導波路型超格子APD
- 超格子APD高速化の検討
- Si注入による端面透明化構造を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP半導体レーザ
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 10Gbps光アクセスシステムに向けた3D-CSPモジュールの基礎検討 : モジュール試作とその送受信特性
- 高効率光IFを有する高密度(480Gbit/s/cm^2)光プリント回路基板(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- 43-Gbps高速EA/DFBレーザのアンクールド動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 1.3μm帯10Gbit/s/channelパラレル光送信/受信モジュール(光・電気複合実装モジュール技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
- C-3-74 多層光導波路基板の10Gbps光信号伝送(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-73 2レンズ光学系を用いた10 Gbps/ch光インターコネクションI/Oモジュール(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-72 低損失光結合構造を適用した多層光配線ボード(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-71 低背10Gbit/s×4 channelパラレル光送受信器(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 小型10Gbit/s/channel光トランシーバ(MPλ(Lambda)S,フォトニックネットワーク/制御,光波長変換,スイッチング,PON,一般)
- 小型 10Gbit/s/channel 光トランシーバ
- C-3-92 VCSELを用いた10Gbit/s×4channelパラレル光送受信器(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- C-3-132 4ch×10 Gbit/s CWDM 光受信器
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール(光部品の実装,信頼性)
- 表面実装型10Gbit/s光受信モジュール
- C-3-21 10Gbps×4ch パラレル光受信器
- C-3-20 表面実装型 10Gbit/s 光受信モジュール
- 光導波路基板上への光素子直接搭載
- SC-3-9 ATM-PONシステム向けポリマPLCモジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- フッ素化ポリイミドを用いた1×8デジタル光スイッチ(2)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
- C-4-11 1.3μm帯レンズ集積面出射型レーザによる光ファイバへの高効率直接光結合(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-63 小型100-GbE Quadplex光受信器(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- 1.3μm膜厚テーパリッジ導波路型ビーム拡大器集積レーザの高温特性
- レーザー
- 短共振器DBR型波長可変レーザモジュールの高速波長ロッカー制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- SC-2-3 1.3μm 帯 40Gbit/s 伝送用インピーダンス整合型半導体光変調器
- OFC/NFOEC 2010報告 : アクティブモジュール/デバイス関連(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般(OFC報告))
- OFC/NFOEC 2010報告 : アクティブモジュール/デバイス関連(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,光増幅・中継技術,非線形・偏波問題,コア・メトロシステム,海底伝送システム,光伝送システム設計・ツール,一般(OFC報告))
- 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 短距離光リンク用1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザのモノリシックレンズ集積技術(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-3-64 シリコンベース光合分波器を用いた10Gbps小型一芯双方向光モジュール(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-60 高効率光I/Oを有する20Gbps超高速光プリント配線基板(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-58 高速,低ノイズFPC複合フレキシブル光導波路光インターフェース(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-1 高効率光I/0を有する10Gbps並列光インターコネクション(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-83 高効率光結合を有する160Gbps小型光I/Oモジュール(光インターコネクション(1),C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
- 光変調器集積型波長可変DFBレーザ
- BPM法を用いたビーム拡大器集積LDの設計
- BPM法を用いたビーム拡大器集積LDの設計
- コア膜厚/ストライプ幅変調型ビーム拡大機能集積化LDの特性解析
- C-3-43 20Gbps超級光インタコネクト向けチップスケール光素子実装(光インターコネクション・光モジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 光変調器集積型波長可変レーザの伝送特性
- C-3-45 レンズ集積型レーザとCMOS回路を用いた低電力光配線向け20Gbps光送信I/Oモジュール(光インターコネクション・光モジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-44 低電力光I/O搭載光プリント回路基板の20Gbps高速光信号伝送(光インターコネクション・光モジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 表面実装対応導波路型PIN-PD加湿試験20, 000時間安定動作
- C-3-47 10Gb/s光受信器用表面実装対応導波路型PIN-PD
- C-3-29 光アクセス用導波路型フォトダイオード及びPIN-AMPモジュール
- MQW半導体光増幅器の利得飽和特性と2.5Gb/s-120km伝送特性
- 光配線技術の研究動向と将来展望(光配線と高速伝送技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地-)
- 光配線技術の研究動向と将来展望(光配線と高速伝送技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地)
- C-4-1 1.3μm帯レンズ集積型面出射レーザの広温度範囲25Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- シリコンシャドーマスクを用いたMOVPEによる1.3μm帯ビーム拡大器集積レーザ
- CI-2-5 レンズ集積光素子を用いた20Gbps高速・低電力光配線ボード(CI-2.家庭内ネットワーク〜インターコネクションに向けた短距離・高速光通信用デバイス・コンポーネント技術,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- 1.3μm帯直接変調レーザの広範囲25Gbps無温調動作の実証
- C-3-20 光インターコネクション用低電力25Gbps/ch 1.3μm帯光モジュール(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 装置内バックプレーン光化向け25Gbps×4チャネル、3.0mW/Gbps、CMOS小型光レシーバの提案(コア・メトロシステム,フォトニックネットワーク・システム,光ネットワーク運用管理,光ネットワーク設計,トラヒックエンジニアリング,シグナリング,GMPLS,ドメイン間経路制御,ネットワーク監視,イーサネット,光伝達網(OTN),高速インタフェース,光制御(波長変換・スイッチング・ルーチング),光ノード技術,光クロスコネクト(OXC),光分岐挿入多重(OADM),光多重・分離装置,光信号処理,光スイッチ
- 三次元モジュール構造及び相互結合インダクタ型ドライバ回路を用いた20Gbit/s光送信モジュール(電子デバイスの高速・高密度実装とインテグレーション技術論文)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 25Gb/s多波長面型DFBレーザアレイ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 次世代ITシステムに向けた高速光インタコネクト技術
- レンズ集積光素子とCMOS回路を用いた光インターコネクション用25Gbit/s光送受信モジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- レンズ集積光素子とCMOS回路を用いた光インターコネクション用25Gbit/s光送受信モジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- レンズ集積光素子とCMOS回路を用いた光インターコネクション用25Gbit/s光送受信モジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-6 光インタコネクト用1.3μm帯レンズ集積EA-DFBレーザによる40-Gbit/s/ch 50mマルチモードファイバ伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-31 光インタコネクト用EA-DFBレーザの40Gbps/ch低電圧動作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)