[招待講演]GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
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概要
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GaInNAsは、1995年に著者らが提案・作製した新光半導体材料である。新材料が実用化されるには、材料の作製技術の成熟に加え、魅力的な応用先つまり市場が必要である。我々は、Si上の光素子、高温特長波長レーザ,長波長面発光レーザ,超高速レーザへの応用を提案してきた。本論文では、GaInNAsレーザの現状と課題について述べるらGaInNAsレーザの現在の最大の課題は結晶中に多量に存在する非発光センタの存在である。これが材料固有の性質なのか、単なる作製技術の問題なのかが分かれ目になる。結晶成長時に不純物が混入し、それを何らかの手法で低減できるなら道は明るい。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-12
著者
-
工藤 真
日立製作所中央研究所
-
内山 博幸
(株)日立製作所 中央研究所
-
谷口 隆文
(株)日立製作所中央研究所
-
内山 博幸
株式会社日立製作所中央研究所
-
谷口 隆文
株式会社日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所中央研究所
-
藤崎 寿美子
日立製作所中央研究所
-
近藤 正彦
株式会社日立製作所中央研究所
-
中原 宏治
株式会社日立製作所中央研究所
-
藤崎 寿美子
株式会社日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
株式会社日立製作所中央研究所
-
工藤 真
株式会社日立製作所中央研究所
-
寺野 昭久
株式会社日立製作所中央研究所
-
近藤 正彦
日立製作所中央研究所:(現)大阪大学 大学院工学研究科
-
中原 宏治
日立製作所 中央研究所
-
中原 宏治
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 滋久
(株)日立製作所 中央研究所
-
田中 滋久
日立中研
-
田中 慈久
日立製作所中央研究所
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