単一電源動作 Pt 埋め込みゲート InGaAs 歪チャネルダブルヘテロ HEMT
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概要
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単一電源動作可能な高出力増幅器用高効率HEMTについて検討した。この素子には、単一電源動作のためにPtを含むゲート材料を採用することにより、ショットキバリア高さ0.9 eVという高い値が400℃までの熱処理に対して安定であるという結果を得た。また、ダプルヘテロ構造の採用により、ゲート電圧0.8V、ドレイン電圧5Vまで良好な線形性が得られた。さらに、GaAs/InGaAs/GaAs超格子チャネル採用により、電子移動度6300cm^2/Vs、シートキャリア濃度3.6×10<12> cm^<-2>という良好な結果を得た。本構造を適用することにより、1.5 GHzデジタルセルラ仕様における評価において、出力1.5W、電力付加効率41%を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-20
著者
-
田中 聡
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 徹
(株)日立製作所中央研究所
-
谷本 琢磨
(株)日立製作所中央研究所
-
大部 功
(株)日立製作所中央研究所
-
工藤 真
日立製作所中央研究所
-
松本 秀俊
(株)日立製作所 中央研究所
-
寺野 昭久
(株)日立製作所 中央研究所
-
工藤 真
(株)日立製作所 中央研究所
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
寺野 昭久
株式会社日立製作所中央研究所
-
大部 功
(株)ルネサステクノロジ
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
谷本 琢磨
日立製作所中央研究所
-
中村 徹
(株)日立製作所
-
寺野 昭久
株式会社 日立製作所
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