高出力HEMTのゲインマップによる線形性解析
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概要
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近年, 携帯電話の爆発的な加入者増加のためデジタル化が急速に進められている。携帯電話の中でも最も消費電力の大きなHPAの高性能化のためFETが注目されている。デジタル用途のHPAに向けて, FETには隣接チャネル漏洩電力等の線形性の向上が要求される。従来, 線形性は非線形測定をしなければわからない上に, 整合性により結果が変わるため, デバイスの設計がしにくい, という問題があった。今回, 小信号特性評価のみにより線形性を推定する方法について検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
田中 聡
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 徹
(株)日立製作所中央研究所
-
河合 秋絵
(株)日立製作所中央研究所
-
谷本 琢磨
(株)日立製作所中央研究所
-
大部 功
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
大部 功
(株)ルネサステクノロジ
-
河合 秋江
(株)日立製作所中央研究所
-
河合 秋絵
?日立製作所中央研究所
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
谷本 琢磨
日立製作所中央研究所
-
中村 徹
(株)日立製作所
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