100nm世代のSoCプラットフォームに向けた丈高速および低電力/RF用途対応50nmCMOS技術
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概要
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100nm世代のSoC(Silicon-on-a-chip)プラットフォームに向けて、高速および低電力/RF用途対応のCMOS技術を開発した。本CMOSデバイスの特徴は、オフセットソース/ドレイン構造と超急峻チャネル(SSC : Super Steep Channel)構造である。オフセットソース/ドレイン構造は、より微細なゲート長のデバイスを駆動電流を減少させることなく動作させることができる。SSC構造は、従来のhalo構造に比べてキャリア移動度が向上し、特に低電圧領域での電流特性が改善する。また、1/fノイズの原因となるゲート絶縁膜のダメージも低減でき、特に短チャネルデバイスでの1/fノイズ特性が向上する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-15
著者
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
-
大西 和博
(株)日立製作所中央研究所
-
大西 和博
(株)日立製作所
-
土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
-
大塚 文雄
SELETE
-
尾内 享裕
日立 中研
-
山内 豪
(株)日立超LSIシステムズ
-
大塚 文雄
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
満田 勝弘
(株)日立製作所半導体事業部
-
長谷 昌俊
法政大学工学部
-
川原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
中村 徹
法政大学工学部
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