イオン注入法によるGaN FETの特性改善効果
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概要
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- 2006-03-02
著者
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
中村 徹
法政大学
-
葛西 武
ケミトロニクス
-
野本 一貴
法政大学
-
佐藤 政孝
法政大学
-
田島 卓
法政大学
-
三島 友義
日立電線株式会社
-
河村 光則
法政大学
-
伊藤 伸之
法政大学
-
三島 友義
日立電線
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
佐藤 政孝
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
田島 卓
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
野本 一貴
法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター
-
中村 徹
法政大学工学部
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