表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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結晶成長後の降温時にNH_3供給を停止する温度(T_<NH3>)を変えることにより表面ストイキオメトリを制御した3種類のp-GaN基板を用いたAu/Niショットキー接触の電気的特性の評価結果を報告する。光応答測定の結果では、すべてのサンプルのショットキー障壁高さ(qφ_B)は2.2eV程度と高く、T_<NH3>が900℃から300℃に低下するに伴い、qφ_Bは0.1eVのわずかな増加が観察された。同時に、表面近傍のアクセプター型欠陥によるキャリアの充放電がT_<NH3>の減少とともに減少した。Nリッチな表面では、アクセプター型欠陥が不活性化されるまたは、ドナー型欠陥の形成により補償される傾向がみられた。その結果、界面でのピニング位置がわずかに伝導帯端に移動した可能性があると考えられる。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-19
著者
-
梶原 隆司
九州大学大学院工学研究院航空宇宙工学部門
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
三島 友義
日立電線株式会社
-
田中 悟
九州大学大学院工学研究院
-
金田 直樹
日立電線
-
三島 友義
日立電線(株)
-
金田 直樹
日立電線(株)技術研究所先端電子材料研究部
-
高橋 利文
福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
梶原 隆司
九州大学大学院工学研究院エネルギー量子工学部門
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