AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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AlInN/InGaNヘテロ接合FETの高周波特性について理論予測を行った。解析には、2次元空間におけるアンサンブルモンテカルロシミュレーションを用いた。チャネル材料として、電子輸送特性に優れる高In組成InGaN(InNを含む)を用いることにより、高周波特性の向上を確認した。短チャネル効果を抑制しつつゲート長を20nm以下に設定することにより、電流利得遮断周波数がテラヘルツ領域に達することを理論的に予測した。
- 2007-10-04
著者
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
-
西田 猛利
福井大学大学院工学研究科
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
-
児玉 和樹
福井大学大学院工学研究科
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
-
葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
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