C-10-2 2層金属埋め込み構造を有するGaNショットキーダイオードのオン電圧とリーク電流に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-09-02
著者
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
-
牧野 弘
福井大学大学院工学研究科
-
石川 信洋
福井大学大学院工学研究科
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
-
葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
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