金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
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概要
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低Mgドープp-GaN基板を用いて良好なショットキー接触を実現し、電極界面の電気的特性を明らかにした結果を中心として、金属/p-GaN界面の理解の現状を述べる。p-GaN上の電極は漏れ電流が大きく、基礎物性の理解を困難にしてきた。我々はMgのドーピング量を低減することにより漏れ電流を大幅に低減し、p-, n-GaN電極の障壁高さの和がバンドギャップに等しくなる高障壁なショットキー特性(qφ_B=24ev)をNi/p-GaN電極で実現した。I-V,C-V特性において深い準位からのキャリアの捕獲、放出に伴う大きなメモリー効果が観測された。高温ICTS測定により、禁制帯中央に近い欠陥準位が界面近傍に局在することが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-08
著者
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