フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討 (電子デバイス)

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概要

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• 2012-07-26

著者

• 葛原 正明

  福井大学大学院工学研究科

• 児玉 和樹

  福井大学大学院工学研究科

• 徳田 博邦

  福井大学工学研究科電気・電子工学専攻

• 葛原 正明

  福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻

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