C-10-11 AlInN/InGaN/AlInNダブルへテロ接合FETの高周波特性解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-03-05
著者
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
-
西田 猛利
福井大学大学院工学研究科
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
-
児玉 和樹
福井大学大学院工学研究科
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
-
葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
関連論文
- AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaN電子素子特性に結晶欠陥が与える影響(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 8.高速情報ネットワーク時代を支える光・ワイヤレス通信用デバイスの現状と展望(時代をひらく電子情報通信技術-技術がもたらした変革,そして更なる飛躍-)
- C-10-12 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関する理論解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 多段フィールドプレートAlGaN/GaN-HEMTの最適設計(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-11 2層絶縁膜を有するAlGaN/GaNダイオードの理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-2 2層金属埋め込み構造を有するGaNショットキーダイオードのオン電圧とリーク電流に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-4 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの最適設計と耐圧に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- p-GaNショットキー接触のI-V,G-V特性 : キャリア濃度,金属仕事関数依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- C-10-11 AlInN/InGaN/AlInNダブルへテロ接合FETの高周波特性解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 AlGaN/GaNへテロ接合における接触抵抗低減に関する理論検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 窒化物半導体トランジスタヘの期待と将来展望(半導体材料・デバイス)
- p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性 : 金属仕事関数依存性
- AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- C-10-2 AlN基板上AlGaNチャネルHEMTの高温特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 傾斜フィールドプレートAlGaN/GaN HEMTの耐圧解析 : 2層絶縁膜の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-17 ウルツ鉱構造GaNの衝突イオン化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-14 InGaNチャネルをもつダブルヘテロ接合FETの高周波特性解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- GaAs系HEMTのソース抵抗解析(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- C-10-16 AlGaN/GaN HEMTにおける電荷制御モデル(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体トランジスタの現状と課題(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- AlGaN/GaN HEMTのエンハンスメント動作の検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- リセスゲート構造 GaAsFET を用いた衝突イオン化率の測定
- AlGaAs/InGaAs HJFETにおけるキンク発生機構の検討
- 学会発表を通じて(北陸支部,支部から,各支部・Student Branch学生員の感想)
- フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討 (電子デバイス)
- AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaN系高効率電子デバイスの開発動向
- p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性 : キャリア濃度, 金属仕事関数依存性
- フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性