AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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自立AlN基板上に作製したAlGaNチャネルHEMTの室温から300℃までの電子輸送特性の温度依存性を評価した。温度上昇に伴う飽和ドレイン電流の低下率は、チャネル層のAlGaNのAl組成が高くなるほど小さくなった。Al_<0.26>Ga_<0.74>NチャネルHEMTの温度依存性は、主に実効チャネル電子速度に支配されていることが明らかとなった。これらの結果は、高温下で動作するデバイスとして、AlN基板上AlGaNチャネルHEMTが有望であることを示している。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-01-04
著者
-
葛原 正明
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
-
徳田 博邦
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
-
畑野 舞子
福井大学大学院工学研究科
-
山崎 潤
福井大学大学院工学研究科
-
矢船 憲成
金属系材料研究開発センター:シャープ株式会社
-
徳田 博邦
福井大学大学院工学研究科
-
山本 喜之
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
秋田 勝史
住友電気工業
-
橋本 信
住友電気工業
-
畑野 舞子
福井大学工学研究科システム設計工学専攻
-
山崎 潤
福井大学工学研究科システム設計工学専攻
-
矢船 憲成
シャープ株式会社
-
徳田 博邦
福井大学工学研究科システム設計工学専攻
-
葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
-
葛原 正明
福井大学工学研究科システム設計工学専攻
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