AlGaAs/InGaAs HJFETにおけるキンク発生機構の検討
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概要
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AlGaAs, InGaAs HJFETにおけるキンク現象の光照射効果、温度依存性およびゲート電圧依存性について検討した。光を照射するとキンク電圧より低電圧領域でドレイン電流は増加して、キンクは消滅する。このキンク消滅の度合いは照射光波長依存性を有することを明らかにするとともに、ゲート電圧が正になると高Vgほどキンクの度合いが低減することを見いだした。同様に、温度を上昇するとキンクは消滅することを明らかにした。以上の結果から、チャネル層中の衝突イオン化により正孔の生成と、N-AlGaAsドナー層中に存在する正孔トラップでの正孔捕獲の2つの過程がAlGaAs/InGaAs HJFETのキンク発生に重要な役割を果たしているとする新しいモデルを提案した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
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