InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETに於けるデバイス特性のチャネル組成依存性
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概要
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InAlAs, InGaAs系ヘテロ接合FETに於いて、チャネルInGaAs層のIn組成を70%とした高In組成チャネルHJFETを作製し、格子整合チャネル(In組成;53%)HJFETとの比較検討を行った。高In組成デバイスは格子整合デバイスに比べ優れた高周波特性、雑音特性を示し、高In組成チャネルの有効性を示した。デバイス試作評価の結果、0.15μmT型ゲートデバイスで格子整合系のgm=570mS/mm(@Vds=0.75V),FT=165GHzに対し、高In系ではgm=780mS/mm(@Vds=0.75V),Ft=185GHzが得られた。また、12GHzに於ける雑音特性として、格子整合系でFmin(最小雑音指数)=0.45dB、ass.Gain(付随利得)=15.5dB、高In系でFmin=0.39dB、ass.Gain=16.5dBが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-21
著者
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
丸橋 建一
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
冨士原 明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
水木 恵美子
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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