ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-06
著者
-
分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
分島 彰男
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
牧野 洋一
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
山之口 勝己
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
丸橋 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
大畑 恵一
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
大畑 恵一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
牧野 洋一
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
大畑 恵一
Nec 光・無線デバイス研
-
佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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