牧野 洋一 | 日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

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• 牧野 洋一

  日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

• 分島 彰男

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 分島 彰男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所

• 山之口 勝己

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 牧野 洋一

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

• 山之口 勝己

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

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• 大畑 恵一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

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• 井上 隆

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• 井上 隆

  Nec関西エレクトロニクス研究所

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  NEC関西エレクトロニクス研究所

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• 分島 彰男

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• 丸橋 健一

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 舟橋 政弘

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• 水谷 浩

  日本電気(株),化合物デバイス事業部

• 水谷 浩

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  (株)ミリウェイブ

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  NEC関西エレクトロニクス研究所

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• 舟橋 政弘

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• 恩田 和彦

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 大畑 恵一

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 丸橋 建一

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 恩田 和彦

  日本電気株式会社化合物デバイス事業部

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著作論文

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• SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器御
• C-10-1 新規プロセス(EMMIE)を用いて作製した75GHz高利得HJFET MMIC増幅器
• ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET
• 60GHz帯MMIC広帯域高出力増幅器
• 60GHz帯MMIC 2段広帯域出力増幅器
• SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器

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