分島 彰男 | 日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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大田 一樹
Nec
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大田 一樹
NECナノエレクトロニクス研究所
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
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金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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分島 彰男
NEC光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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Contrata W.
NEC光・無線デバイス研究所
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牧野 洋一
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC
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安藤 裕二
NEC
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岡本 康宏
NEC
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石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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Contrata Walter
日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
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佐本 典彦
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
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Contrata Walter
Nec光・無線デバイス研究所
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山之口 勝己
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
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Egawa T
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
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Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
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恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
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Egawa Takashi
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
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成田 知隆
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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分島 彰男
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
分島 彰男
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
-
成田 知隆
名古屋工業大学
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分島 彰男
名古屋工業大学
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井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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黒田 尚孝
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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村瀬 康裕
財団法人新機能素子研究開発協会
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山之口 勝己
財団法人新機能素子研究開発協会
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田能村 昌宏
財団法人新機能素子研究開発協会
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会
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岡本 康宏
財団法人新機能素子研究開発協会
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大田 一樹
財団法人新機能素子研究開発協会
-
安藤 裕二
財団法人新機能素子研究開発協会
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松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会
-
岡本 康宏
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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中山 達峰
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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安藤 裕二
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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分島 彰男
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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松永 高治
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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宮本 広信
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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分島 彰男
NECシステムデバイス研究所
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浅野 貴弘
NEC東芝スペースシステム株式会社 宇宙機器本部
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平野 孝文
NEC東芝スペースシステム株式会社 宇宙機器本部
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舟橋 政弘
NEC東芝スペースシステム株式会社 宇宙機器本部
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松永 高治
NECシステムデバイス研究所
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石倉 幸治
NEC化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC化合物デバイス事業部
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Contrata W.
NEC 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC 光・無線デバイス研究所
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石倉 幸治
NEC 化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC 化合物デバイス事業部
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分島 彰男
NEC 光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC 光・無線デバイス研究所
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金森 幹夫
NEC 化合物デバイス事業部
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葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
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牧野 洋一
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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分島 彰男
NEC関西エレクトロニクス研究所
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牧野 洋一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
NEC関西エレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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水木 恵美子
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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中山 達峰
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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舟橋 政弘
Nec システムulsi開発本部
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冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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田能村 昌宏
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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浅野 貴弘
Nec東芝スペースシステム株式会社宇宙機器本部
-
舟橋 政弘
日本電気(株)
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舟橋 政弘
Nec東芝スペースシステム株式会社宇宙機器本部
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恩田 和彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
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村瀬 康裕
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
平野 孝文
Nec東芝スペースシステム株式会社宇宙機器本部
-
大田 一樹
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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Contrata W
NEC光・無線デバイス研究所
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分島 彰男
NEC光無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC光無線デバイス研究所
-
Contrata W.
NEC光無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC光無線デバイス研究所
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石倉 幸治
化合物デバイス事業部
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竹中 功
化合物デバイス事業部
-
金森 幹夫
化合物デバイス事業部
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葛原 正明
NEC光無線デバイス研究所
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恩田 和彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
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丸橋 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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大畑 恵一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
-
葛原 正明
日本電気
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大畑 恵一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
大畑 恵一
Nec 光・無線デバイス研
-
Contrata Walter
NEC 光・無線デバイス研究所
著作論文
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-9 230W出力C帯GaN FP-FET増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-17 C帯高出力GaN FP-FET増幅器(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 衛星搭載用C帯80W GaAs-FET増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 10-C-8 50V動作InGaPチャネルField-Modulating Plate MESFET
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器
- SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器御
- C-10-1 新規プロセス(EMMIE)を用いて作製した75GHz高利得HJFET MMIC増幅器
- ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- 衛星搭載用C帯80W GaAs-FET増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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