宮本 広信 | 日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 宮本 広信

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 中山 達峰

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 水木 恵美子

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 冨士原 明

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  日本電気(株)光・無線デバイス研究所

• 恩田 和彦

  日本電気株式会社化合物デバイス事業部

• 恩田 和彦

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部

• 水木 恵美子

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 分島 彰男

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 分島 彰男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 冨士原 明

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 富士原 明

  日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NEC

• 安藤 裕二

  NEC

• 岡本 康宏

  NEC

• 笠原 健資

  NEC光・無線デバイス研究所

• 笠原 健資

  日本電気(株)マイクロエレ研

• 岡本 康宏

  日本電気(株)光・無線デバイス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 丸橋 建一

  日本電気(株)

• 葛原 正明

  ULSIデバイス開発研究所

• 分島 影男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 丸橋 建一

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• コントラッタ ウォルター

  Nec 関西エレクトロニクス研究所

• コントラッタ ウォルター

  日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

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著作論文

• InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
• 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
• In(Al_Ga_x)As 層をもつ InAlAs/InGaAs 系 HJFET の熱的安定性
• Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 共鳴トンネルトランジスタのマイクロ波特性
• Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 高信頼化技術C0METを用いた高利得低雑音InAlAs/InGaAsHJFET

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