金森 幹夫 | Nec Ulsiデバイス開発研究所
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概要
関連著者
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金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
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金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
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Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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NEC光・無線デバイス研究所
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日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
Nec
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大田 一樹
NECナノエレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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NEC化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC化合物デバイス事業部
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日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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水木 恵美子
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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Nec関西エレクトロニクス研究所
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NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
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高橋 英匡
NEC ULSIデバイス開発研究所
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Nec光・無線デバイス研究所
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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分島 彰男
NEC光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC光・無線デバイス研究所
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NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
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NEC 光・無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC 光・無線デバイス研究所
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石倉 幸治
NEC 化合物デバイス事業部
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竹中 功
NEC 化合物デバイス事業部
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分島 彰男
NEC 光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC 光・無線デバイス研究所
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金森 幹夫
NEC 化合物デバイス事業部
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葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
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冨士原 明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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中山 達峰
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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松永 高治
NEC関西エレクトロニクス研究所
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松永 高治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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石倉 幸治
NEC ULSIデバイス開発研究所
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上村 和義
NEC ULSIデバイス開発研究所
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高橋 潔
NEC ULSIデバイス開発研究所
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麻埜 和則
NEC ULSIデバイス開発研究所
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金森 幹夫
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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Nec関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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山口 佳子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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分島 彰男
NEC光無線デバイス研究所
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松永 高治
NEC光無線デバイス研究所
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Contrata W.
NEC光無線デバイス研究所
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大田 一樹
NEC光無線デバイス研究所
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石倉 幸治
化合物デバイス事業部
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竹中 功
化合物デバイス事業部
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金森 幹夫
化合物デバイス事業部
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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丸橋 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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大畑 恵一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
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分島 影男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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松永 高治
日本電気
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三浦 郁雄
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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高橋 英匡
NEC化合物デバイス事業部
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麻埜 和則
NEC化合物デバイス事業部
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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牧野 洋一
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佐倉 直喜
NEC ULSIデバイス開発研究所
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高橋 英匡
NECULSIデバイス開発研究所
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NEC化合物デバイス事業部
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三浦 郁雄
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岡本 康宏
NEC関西エレクトロニクス研究所
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岡本 康宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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NEC化合物デバイス事業部
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長谷川 安昭
NEC 化合物デバイス事業部
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小形 幸範
NEC 化合物デバイス事業部
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伊東 朋弘
NEC 化合物デバイス事業部
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筒井 宏明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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望月 晃
NEC ULSIデバイス開発研究所
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岡本 康宏
NEC ULSIデバイス開発研究所
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石倉 幸冶
NEC ULSIデバイス開発研究所
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松永 高冶
NEC関西エレクトロニクス研究所
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冨士原 明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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大畑 恵一
Nec 光・無線デバイス研
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恩田 和彦
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水木 恵美子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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中山 達峰
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
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山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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望月 晃
日本電気エンジニアリング(株)
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Contrata Walter
NEC 光・無線デバイス研究所
著作論文
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- 22 GHz帯5W HJFET増幅器
- C-10-12 W-CDMA基地局用高効率150W HJFET
- 移動体基地局用200W GaAs HFET
- C-2-31 C帯60W AlGaAs/GaAs HFET電力増幅器
- EOSによる高出力FETのアンバランス動作解析
- MMICに於けるインダクタ素子の隣接効果
- HJ-FETを用いた3.4V,1.5GHz帯 デジタルセルラー用Multi-Chip ICモジュール
- スパイラルインダクタ特性の配線膜厚依存性検討
- 非線形入力容量を用いた低歪Ku帯高出力HJFET増幅器
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
- AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFET(SPRINT)のマイクロ波帯雑音特性