InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
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概要
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InP基板上に形成されるInAlAs/InGaAs変調ドープ構造を用いたHEMTをはじめとするヘテロ接合電解効果トランジスタ(HJFET)の研究が始まって10年以上がすぎた。この間、材料に対する理解が進むとともに結晶成長技術・プロセス技術等の高度化によってデバイスの性能は飛躍的に向上してきた。AlGaAs/GaAs系及びAlGaAs/InGaAs系HJFETに比べてその実用化が遅れているのは、材料の変更によるデバイスの不安定性が大きなネックとなっていたためである。これまでに指摘されてきたデバイスの特性変動要因として、ゲート電極の熱的不安定性、オーミック電極の熱的不安定性、ゲート近傍のInAlAsの物性変動等が挙げられるが、ここではInP系HJFETの不安定性要因を明確にするとともに我々がその対策として開発してきた高信頼性化技術について紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
水木 恵美子
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
中山 達峰
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
恩田 和彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
-
水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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