衛星搭載用C帯80W GaAs-FET増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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衛星搭載用のC帯高出力増幅器の開発を行った。衛星搭載用高出力増幅器で重要となる効率を向上させるために、1チップにおける入力側、出力側で基本波整合、2倍波整合を検討した。入力側2倍波ショート、出力側2倍波はインダクティブ側に効率最大整合条件があることを見出した。得られた結果を4チップ合成C帯増幅器に適用し、出力80W、電力付加効率45%を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-11
著者
-
分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
分島 彰男
NECシステムデバイス研究所
-
浅野 貴弘
NEC東芝スペースシステム株式会社 宇宙機器本部
-
平野 孝文
NEC東芝スペースシステム株式会社 宇宙機器本部
-
舟橋 政弘
NEC東芝スペースシステム株式会社 宇宙機器本部
-
松永 高治
NECシステムデバイス研究所
-
分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
舟橋 政弘
Nec システムulsi開発本部
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
浅野 貴弘
Nec東芝スペースシステム株式会社宇宙機器本部
-
舟橋 政弘
日本電気(株)
-
舟橋 政弘
Nec東芝スペースシステム株式会社宇宙機器本部
-
平野 孝文
Nec東芝スペースシステム株式会社宇宙機器本部
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