酸化膜埋め込み0.2μmゲートプロセスによる準ミリ波帯高出力GaAsFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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5インチウェハーで酸化膜埋め込みゲートプロセスを用いて、準ミリ波帯高出力GaAsFETを開発した。本プロセスは、高歩留まり、高均一性、再現性と高デバイス性能を両立させたデバイスプロセスである。Lg=0.2μmの素子において、5インチ面内でVtが3σ/Averageで6%と高い均一性を示し、単体特性としてImax=540mA/mm、gm=430mS/mm、MSG=13dB@30GHzを得た。さらに、20GHz帯においてゲート幅0.45mm素子で、出力密度0.73W/mm、電力付加効率54%の良好な出力特性が得られた。
- 2003-06-07
著者
-
松永 高治
NEC光・無線デバイス研究所
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
笠原 健資
Necシステムデバイス研究所
-
山之口 勝己
NEC光・無線デバイス研究所
-
村瀬 康裕
NEC光・無線デバイス研究所
-
村瀬 康裕
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山之口 勝己
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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