低温クエン酸系異方性選択エッチングを用いたGaAs HJFET作製プロセス
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概要
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クエン酸系エッチング液を用いてGaAs(100)面、(111)A面、(111)B面のエッチングレートの温度依存性を調べた結果、10℃以下で(111)B面のエッチングレートが他の結晶面と比較して急激に減少することが判明した。また、この低温でのエッチングをGaAs(100)面上の[011]、[011^^-]方向のゲート開口部に適用したところGaAs(111)B面に律速されてサイドエッチが入らないエッチング形状が得られることがわかった。このエッチング液は、サイドエッチが入らないばかりでなくGaAs/AlAsの選択性も高いためGdAs HJFET作製プロセスのゲートリセスに有効である。HJFET作製プロセスに適用した結果、σVt=19mV、Rs=0.3Ωmmと優れたデバイス特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-09
著者
-
大野 泰夫
徳島大学
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
大野 泰夫
Nec光エレクトロニクス研究所
-
大野 泰夫
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
大久保 哲
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
大久保 哲
NEC光エレクトロニクス研究所
-
笠原 健資
NEC光エレクトロニクス研究所
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