高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
移動体通信基地局用デバイスとして、フィールドプレート(FP)を有するL帯GaAsヘテロ構造FET(HFET)を開発した。単一セルFPーHFETでは、動作電圧40Vにおいて1.7W/mmという高い飽和出力密度が得られ、FP-HFETが高バイアス動作に適していることを示した。ゲート幅86.4mmのチップ4個で構成した増幅器は、周波数2.1GHz、動作電圧22Vにおいて、出力53.6dBm(230W)、PAE42%、線形利得11dBを示した。出力46dBm における隣接漏洩電力(ACPR)とPAEはそれぞれ-35dBc、25%であり、高バイアス動作での優れた線形特性を示した。この増幅器の飽和出力密度0.67W/mmは、200W級デバイスでの過去最高値である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-11
著者
-
分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
-
Contrata W.
NEC 光・無線デバイス研究所
-
松永 高治
NEC 光・無線デバイス研究所
-
石倉 幸治
NEC 化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NEC 化合物デバイス事業部
-
分島 彰男
NEC 光・無線デバイス研究所
-
大田 一樹
NEC 光・無線デバイス研究所
-
金森 幹夫
NEC 化合物デバイス事業部
-
葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
-
Contrata W.
NEC光・無線デバイス研究所
-
分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
松永 高治
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
大田 一樹
Nec
-
大田 一樹
NECナノエレクトロニクス研究所
-
Contrata Walter
日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
-
金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
Contrata Walter
Nec光・無線デバイス研究所
-
Contrata Walter
NEC 光・無線デバイス研究所
関連論文
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-9 230W出力C帯GaN FP-FET増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-17 C帯高出力GaN FP-FET増幅器(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 衛星搭載用C帯80W GaAs-FET増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 10-C-8 50V動作InGaPチャネルField-Modulating Plate MESFET
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器
- SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器御
- C-10-1 新規プロセス(EMMIE)を用いて作製した75GHz高利得HJFET MMIC増幅器
- ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
- In(Al_Ga_x)As 層をもつ InAlAs/InGaAs 系 HJFET の熱的安定性
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
- Ka帯2.3W出力AIGaN/GaNヘテロ接合FET
- Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SC-6-8 SiC基板上のマイクロ波高出力AlGaN/GaN FET
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- C-10-7 SiN保護膜を有するAlGaN/GaN系高出力ヘテロ接合FET
- C-10-5 W-CDMA基地局用高効率240Wヘテロ接合FET
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- 衛星搭載用C帯80W GaAs-FET増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 新構造GaAs高出力FPFET
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 22 GHz帯5W HJFET増幅器
- 22GHz帯高出力AlGaAs/InGaAs HJFET
- W-CDMA基地局用高効率150W GaAsヘテロ接合FET
- W-CDMA基地局用高効率150W GaAsヘテロ接合FET
- C-10-12 W-CDMA基地局用高効率150W HJFET
- 移動体基地局用200W GaAs HFET
- C-2-31 C帯60W AlGaAs/GaAs HFET電力増幅器
- 非線形入力容量を用いた低歪Ku帯高出力HJFET増幅器
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
- AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFET(SPRINT)のマイクロ波帯雑音特性
- L帯100W出力AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- 衛星搭載用L帯低歪み高効率電力増幅器
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- L帯60W AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- 低熱抵抗L帯高出力GaAsMESFET
- S帯高効率30W電力増幅器
- 携帯電話基地局用L帯50W GaAs MESFET
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- ソース注入概念による60GHz帯ダウン及びアップコンバータMMIC
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
- GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
- 物理デバイスを組み込んだ回路シミュレーション
- 物理デバイスを組み込んだ回路シミュレーション
- 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)