L帯100W出力AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-06
著者
-
高橋 英匡
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
筒井 宏彰
NEC ULSIデバイス開発本部
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
麻埜 和則
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
石倉 幸治
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
竹中 功
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
麻埜 和則
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
高橋 英匡
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
森川 純子
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
筒井 宏彰
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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