衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
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概要
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衛星通信用L帯GaAsFET高効率電力増幅器の低歪み化を検討し、その結果、1.5GHzにおいて電力付加効率68%、出力17.1W、利得16dBと高効率・高出力特性を示し、出力2dBコンプレッション点から5dBバックオフ点でのNPRとして-21dBcと良好な歪み特性を有する電力増幅器を開発した。出力側ドレインバイアス回路の低周波領域でのインピーダンスによってIM3やNPRなどの歪み特性が影響を受けることを実証し、そのインピーダンスの最適化を図ることにより低歪み特性を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-21
著者
-
高橋 英匡
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
葛原 正明
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
筒井 宏彰
NEC ULSIデバイス開発本部
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
葛原 正明
日本電気
-
竹中 功
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
麻埜 和則
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
竹中 功
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
麻埜 和則
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
高橋 英匡
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
筒井 宏彰
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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