35V動作高出力FPFET
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
AlGaAs/GaAs HFETにField-Modulating Plate(FP)を装荷した新構造の高出力FET(FPFET)を開発した。FP無しの従来構造に比べて20V近い耐圧の向上が得られ、さらにドレイン電流の周波数分散も大幅に抑制されることが確認された。本FETは1.5GHzにおいてドレイン電圧35Vまで動作し、Wg=4.5mm素子で出力7.5W(出力密度1.7W/mm)、電力付加効率52%という良好な値が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-22
著者
-
水田 正志
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
水田 正志
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
葛原 正明
日本電気
-
葛原 正明
関西エレクトロニクス研究所
-
石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
麻埜 和則
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
石倉 幸治
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
梨本 泰信
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
麻埜 和則
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
三好 陽介
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
水田 正忠
光・超高周波デバイス研究所
関連論文
- 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
- Ptショットキゲート高電流InP MESFET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 10-C-8 50V動作InGaPチャネルField-Modulating Plate MESFET
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
- Ka帯2.3W出力AIGaN/GaNヘテロ接合FET
- Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SC-6-8 SiC基板上のマイクロ波高出力AlGaN/GaN FET
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- C-10-7 SiN保護膜を有するAlGaN/GaN系高出力ヘテロ接合FET
- フィールドプレートFET技術
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- 3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET
- ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
- C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
- Electroreflectance法によるGaAs-MIS界面評価
- FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性
- FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 新構造GaAs高出力FPFET
- ODMRによる半導体中の局所点欠陥評価
- GaAs MESFET耐圧へのパッシベーション界面ストイキオメトリの影響
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
- 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
- 選択成長を用いたn-GaN基板上InGaN MQWリッジ型LDの作製 (窒化物・青色光半導体)
- 22GHz帯高出力AlGaAs/InGaAs HJFET
- 「ヘテロエピタキシーと界面構造制御」小特集にあたって
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
- L帯100W出力AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- 衛星搭載用L帯低歪み高効率電力増幅器
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- L帯60W AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- 低熱抵抗L帯高出力GaAsMESFET
- S帯高効率30W電力増幅器
- 携帯電話基地局用L帯50W GaAs MESFET
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- ソース注入概念による60GHz帯ダウン及びアップコンバータMMIC
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- 22aB7 FIELO技術を用いたGaN結晶の低転位化(気相成長II)
- 結晶成長はどこまでミクロに制御できるか (極限技術と応用物理特集号) -- (材料技術の極限)
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- C-10-8 フィールドプレートを有する高電圧動作高出力HJFET
- GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
- GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
- SC-10-3 Interpretation of Microwave GaAs MESFET Output Admittance and Evaluation of Equivalent Circuit Models by Physical Simulation
- SC-10-3 Interpretation of Microwave GaAs MESFET Output Admittance and Evaluation of Equivalent Circuit Models by Physical Simulation
- 物理デバイスを組み込んだ回路シミュレーション
- 物理デバイスを組み込んだ回路シミュレーション